费城半导体指数突破12000点创新高！科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数盘中跌超1%，换手率超12%交投活跃

　　盘面上，两市高开低走，芯片设计概念下跌。相关ETF方面，科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数盘中跌1.25%，成交额达5372.13万元；换手率达12.54%。成分股中，盛科通信-U跌超5%，国芯科技、东芯股份、澜起科技等多股跟跌。

　　科创芯片设计ETF天弘（589070）紧密跟踪科创芯片设计指数，该指数近一年涨幅达115.21%。科创芯片设计ETF天弘（589070）精准卡位云端训练芯片、边缘推理芯片、国产GPU三大高增长细分赛道，完美契合AI算力爆发与国产替代的行业趋势，跟踪标的指数涵盖五十只科创芯片设计领域上市公司，如瑞芯微、龙芯中科等芯片已被明确适配用于个人部署OpenClaw，产品单日最大涨跌幅达20%。随着上游推理需求的持续高速增长和国产替代持续提升，板块配置价值凸显。

　　消息面上，据行业机构监测，2026年二季度DRAM与NAND合约价格环比暴涨58%至75%，美光科技等巨头财报业绩飙升，美股费城半导体指数突破12000点创新高。

　　大同证券认为配资公司相关新闻资讯，芯片设计行业正深度受益于AI算力需求爆发，景气度加速向业绩兑现。大模型对高带宽、低功耗芯片提出更高要求，推动Chiplet、存算一体等创新设计落地。AI终端规模化将打开全新增量市场。